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形成薄膜的初期一般認為有三類(lèi)，即島狀生長(cháng)，層狀生長(cháng)及層狀-島狀生長(cháng)。其形態(tài)及過(guò)程受基板表面的性質(zhì)，溫度及蒸鍍速度等因素的影響。其中與基板表面的清潔度關(guān)系很大。玻璃瓶生產(chǎn)廠(chǎng)家由于知道蒸鍍原子或分子與基板原子間作用強弱有關(guān)，若這時(shí)玻璃瓶廠(chǎng)把蒸鍍原子之間互相作用力強時(shí)形成島狀生長(cháng)，若時(shí)測為層狀生長(cháng)。
蒸鍍的設備，除了蒸鍍用真空罐外，還需要真空排氣系統，我們徐州玻璃瓶公司一般的蒸鍍需10-3-10-4pa的真空度，蒸鍍半導體膜時(shí)需10-6-10-8pa的超真空度。應對應選擇適應的真空度要求及排氣量的真空泵及附屬設備，這時(shí)玻璃瓶廠(chǎng)若選用擴散泵應注意油倒流造成的基板污染。玻璃瓶生產(chǎn)廠(chǎng)家的蒸鍍中對應蒸發(fā)物質(zhì)及量的不同，所使用蒸發(fā)源種類(lèi)形式也不同，所需溫度可以依據平衡蒸汽壓所對應溫度加以選擇，徐州玻璃瓶廠(chǎng)用蒸發(fā)源加熱方式可以采用通電加熱，電子搶沖擊，激光照射等加熱方式。
對基板的加熱可以使表面潔凈化，引起外誕生長(cháng)及化合物反應，因而應對基板加熱。徐州玻璃瓶廠(chǎng)通常對基板的加熱采用基板背面設加熱器或加熱用燈，但基板溫度難以測試，雖設熱電偶但反應出的卻卻未必是基板表面的溫度。
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