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化學(xué)氣相成長(cháng)鍍膜方法是將氣體 狀原料含有需在基板上堆積物質(zhì)的氣體化學(xué)物原料玻璃瓶廠(chǎng)用H2,N2,Ar氣的載流氣引入至基板區域，通過(guò)化學(xué)反應在基板上形成薄膜的方法。玻璃瓶公司通過(guò)化學(xué)反應的控制可在基板上形成金屬，半導體，絕緣體等各種薄膜。
DVD法為一不均勻系統反應，玻璃瓶生產(chǎn)廠(chǎng)家根據技術(shù)人員對此反應的氣體，反應副產(chǎn)物氣體等的光譜分析，可以認為其反應如下，1反應氣體輸送2反應氣體被基板材料吸附并在表面擴散，3在基板表面出現化學(xué)反應，成核及膜成長(cháng)4，反應副產(chǎn)物為氣體，在基板表面解吸，擴散及由基板表面脫離，5不斷提供的反應氣體原料使鍍層有導狀生長(cháng)為完整的薄膜。這些過(guò)程中最慢的過(guò)程決定了整體反應沉積薄膜的速度。
沉積溫度下參加反應的各種物質(zhì)應具備足夠的蒸汽壓或應舉備足夠的過(guò)飽合度。徐州玻璃瓶廠(chǎng)在介紹中給出了CVD法中成膜溫度與過(guò)飽度對薄膜結構的影響示意。
參加反應的原料物質(zhì)應為氣態(tài)，反應生成物除鍍層材料為固態(tài)外其余也應為氣態(tài)。玻璃瓶廠(chǎng)把沉積鍍膜溫度下基板及沉積物本身的蒸汽壓要足夠低，才可保證在反應中固態(tài)沉積物與基板形成牢固的結合。
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